化合物/靶材
   化合物/靶材
碲化鉍粉
碲化鉍粉

碲化鉍粉

分子式 Bi2Te3
分子量 800.76
純度 99.99%、99.999%
粒度 100、200、325目
熔點 585℃
摻雜 P型摻雜銻Sb,N型摻雜硒Se
CAS No. 1304-82-1
EINECS No. 215-135-2
包裝 1kg/瓶
運輸危險屬性 6.1類危險品
儲存條件 真空保存
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碲化鉍粉介紹

碲化鉍粉的晶格常數為1.0473nm,由共價鍵結合,有一定離子鍵成分,碲化鉍粉是個半導體材料,為間接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.145eV,電子和空穴遷移率分別為0.135和4.4×10-2m2/(V·s),溫差電優質系數1.6×10-3/K,為良好的溫差材料。具有較好的導電性,采用布里奇曼法、區域熔煉法、直拉法制備。碲化鉍粉P型:碲化鉍粉摻銻(doped Antimony),碲化鉍粉N型:碲化鉍粉摻硒(doped Selenium),形成P/N節用于半導體制冷,溫差發電等。

碲化鉍粉用途

碲化鉍粉主要用于形成P/N節用于半導體制冷,碲化鉍粉主要用于溫差發電等。

碲化鉍塊
碲化鉍塊

碲化鉍塊

分子式 Bi2Te3
分子量 800.76
純度 99.99%、99.999%
尺寸 1-300mm范圍定做
熔點 585℃
摻雜 P型摻雜銻Sb,N型摻雜硒Se
CAS No. 1304-82-1
EINECS No. 215-135-2
包裝 袋裝
運輸危險屬性 6.1類危險品
儲存條件 密封、防潮防水
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碲化鉍塊介紹

碲化鉍塊的晶格常數為1.0473nm,由共價鍵結合,有一定離子鍵成分,半導體材料,為間接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.145eV,電子和空穴遷移率分別為0.135和4.4×10-2m2/(V·s),溫差電優質系數1.6×10-3/K,為良好的溫差材料。具有較好的導電性,采用布里奇曼法、區域熔煉法、直拉法制備。碲化鉍塊P型:碲化鉍塊摻銻(dopedAntimony),碲化鉍塊N型:碲化鉍塊摻硒(doped Selenium),形成P/N節用于半導體制冷,溫差發電等。

碲化鉍塊用途

碲化鉍塊主要用于形成P/N節用于半導體制冷,碲化鉍塊主要用于溫差發電等。

二硼化鈦
二硼化鈦

二硼化鈦

分子式 TiB2
分子量 69.49
純度 99.5%
尺寸 塊、片、環
熔點 2980℃
沸點 /
CAS No. 12045-63-5
EINECS No. 234-961-4
包裝 袋裝
運輸危險屬性 普通產品
儲存條件 密封、防潮防水
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二硼化鈦介紹

二硼化鈦(TiB2)是硼和鈦最穩定的化合物,為C32型結構,以其價鍵形式結合,屬六方晶系的準金屬化合物。其完整晶體的結構參數為:a為0.3028nm,C為0.3228nm。二硼化鈦晶體結構中的硼原子面和鈦原子面交替出現構成二維網狀結構,其中的B與另外3個B以共價鍵相結合,多余的一個電子形成大π鍵。這種類似于石墨的硼原子層狀結構和Ti外層電子決定了TiB2具有良好的導電性和金屬光澤,而硼原子面和鈦原子面之間Ti-B鍵決定了這種材料的高硬度和脆性的特點。熔點是2980℃,有很高的硬度。在空氣中抗氧化溫度可達1000℃,在HCl和HF酸中穩定。

二硼化鈦用途

二硼化鈦主要用于制備復合陶瓷制品,可以用于由于其可抗熔融金屬的腐蝕,可以用于熔融金屬坩鍋和電解池電極的制造。可制造精加工刀具、拉絲模、擠壓模、噴砂嘴、密封元件等。可以用于可作為多元復合材料的重要組元,與TiC , TiN , SiC 等材料組成復合材料還可以用于制作各種耐高溫部件及功能部件,如高溫坩堝、引擎部件等。二硼化鈦也是制作裝甲防護材料的最好材料之一。由于二硼化鈦與金屬鋁液良好的潤濕性,用二硼化鈦作為鋁電解槽陰極涂層材料,二硼化鈦可以使鋁電解槽的耗電量降低,電解槽壽命延長。二硼化鈦制作成 PTC 發熱陶瓷材料和柔性PTC 材料,具有安全、省電、可靠、易加工成型等特點,二硼化鈦各類電熱材料的一種更新換代的高科技產品。二硼化鈦也是 A1 、 Fe 、 Cu 等金屬材料很好的強化劑。

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